9月26日消息,在今日于韓國舉辦的英特爾存儲產品發布會現場,英特爾展示了大量面向企業和數據中心的產品,但該公司也沒忘記帶來消費級 SSD 產品線的新驚喜。作為 Intel 600p 的繼任者,新款 Intel SSD 665p 采用了相同的慧榮 SM2263 四通道主控,以及每單元 4 比特位的 QLC NAND 閃存。不同的是,新品已升級到了第二代 96 層 3D QLC NAND 。不過并不是采用最新的PCI-e 4.0通道的新系列產品,而是今年一度出現“真香現場”的QLC顆粒固態660p的繼承者665p。


英特爾發布新款660p固態硬盤升級版665p,QLC閃存密度加大


據悉,Intel 665p采用了與660p相同的慧榮SM2263四通道控制器,不過在NAND顆粒上革新為了英特爾第二代96層堆棧3D QLC顆粒。因此在縮小了總體芯片尺寸的同時,還能夠保留每顆芯片1024GB的容量。不過體積的縮小還是有限的,因此在主控沒有變化的情況下,應該不會出現比660p更高容量產品,但是價格應該會有所降低。


英特爾在活動現場展示了665p的速度跑分,在相同的1TB容量下,安裝在同一個測試平臺中的665p在Beta版的CrystalDiskMark 7軟件中比660p的順序讀寫速度快40%-50%,隨機讀寫性能提高了30%左右。


英特爾發布新款660p固態硬盤升級版665p,QLC閃存密度加大


(題圖 via AnandTech)


在提升存儲容量、縮減芯片整體尺寸的同時,IntelSSD665p 依然可以用上單芯 1024GB 的容量。換言之,你不用期待新款的容量和性能會有巨大提升,但可以小小期待一下更低的售價。


現場演示期間,英特爾將搭載了預生產固件的 Intel SSD 665p,與容量同為 1TB 的 660p 展開了對比,且兩款 SSD 均安裝在同型號的華碩筆記本電腦中。


英特爾發布新款660p固態硬盤升級版665p,QLC閃存密度加大


(圖自:Legit Reviews / Nathan Kirsch)


結果 Beta 版的 CrystalDiskMark 7 基準測試表明,Intel SSD 665p 的順序訪問性能提升了 40-50%,隨機訪問亦提升了 30% 左右。


需要指出的是,驅動器跑分的持續時間較短,且硬盤相對較空,所以這些突發數據只能當做是 SLC 緩存速度的參考。


英特爾發布新款660p固態硬盤升級版665p,QLC閃存密度加大


(圖自:Legit Reviews / Nathan Kirsch)


不過 AnandTech 在對比了自家的 Intel SSD 660p 實測成績后指出,在隊列深度足夠高的情況下,順序傳輸可達到類似的 1.7——1.8 GB/s,因此 665p 的實際 I/O 提升可能僅為 20% 左右。至于緩存耗盡之后的 QLC 閃存的真實性能,以及相較于 TLC 閃存的消費者接納程度,仍有待時間去檢驗。



最后,根據 Legit Reviews 的 Nathan Kirsch 分享的 665p 和 660p 的特寫照片,可知其在 PCB 局部上基本沒有變化 —— 仍為單面 M2-2280 的板型,只需四顆 NAND 就能組成 2TB 版本。


遺憾的是,英特爾尚未透露 665p 的發布日期,但相信我們只需等待數月。價格方面,它應該會與 660p 序列持平、甚至成為市面上最實惠的 NVMe SSD 之一。


當然,目前這樣的性能實際都是源于固態中SLC緩存的性能,在SLC高速緩存寫滿后,96層堆棧的QLC NAND會有什么樣的性能還不清楚。不過最近幾年,固態硬盤的技術進步確實是肉眼可見的,TLC固態的出現已經使得固態硬盤成為了幾乎所有電腦的標配,而QLC固態所需要擔負的使命,其實也不過是在消費級市場中基本淘汰機械硬盤吧。至于QLC固態的短壽、低速等問題,現在也已經逐漸被“真香”的售價所掩蓋了。


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